ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻机引入部分 High-NA 机型技术，晶圆吞吐量提升近 22%

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据荷兰媒体 Bits&Chips 报道，ASML 官方确认新款 0.33NA EUV 光刻机 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻机的技术，从而成功提升了其运行效率。

根据本站之前报道，NXE:3800E 光刻机已于本月完成安装，可实现 195 片晶圆的每小时吞吐量，相较以往机型的 160 片提升近 22%。

下一代光刻技术High-NA（高数值孔径）EUV采用了更宽的光锥，这意味着在EUV反射镜上的光线入射角度更广，可能引起光的散失，进而影响晶圆的生产效率。为应对这一挑战，ASML提升了光学系统的放大倍率，以使光线再次回到适当的入射角度，这样可以减少光线损失，并确保光刻过程的稳定性和高效性。这项技术调整的改进对于提高EUV光刻设备的性能和可靠性至关重要，有助于推动半导体行业的发展和创新。

然而，在保持掩模尺寸不变的情况下，增加光学系统的放大倍率也会对晶圆的吞吐量产生影响，因为曝光场会减少。为了解决这个问题，ASML 将放大倍率从 4 倍提高到 8 倍，但只在一个方向上进行了调整，这样可以将曝光场缩小一半。

而为了进一步降低曝光时间，提升吞吐量，有必要提升光刻机载物台的运动速率。ASML 工程师就此开发了同时兼容现有 0.33NA 数值孔径系统的新款快速载物台运动系统。

对于 NXE:3800E 而言，其光学原件同之前的 3600D 机型相同，仅是配备了更高效的 EUV 光源，所以其吞吐量收益主要来自每次曝光之间的晶圆移动加速。与 3600D 相比，3800E 的载物台移动速度提升至 2 倍，曝光步骤总时长也大约减少了一半。

更快的运行速度也带来了能效的提升，ASML 的发言人表示，NXE:3800E 整体节省了约 20%~25% 的能源。

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